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三星发布100+层 V-NAND:现已量产SSD

中关村在线9小时前我想分享

今天,据国外媒体报道,存储巨头三星宣布推出首款100+层和单堆栈(Single-stack)设计的全新V-NAND,突破了目前3D NAND堆栈的局限,实现了卓越速度和能源效率。

根据数据显示,三星的第六代V-NAND是新一代V-NAND推出仅在其推出90层V-NAND 13个月后推出,而三星也将生产周期缩短了4个月,以确保其产业领先的性能,能效和生产力。

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据悉,三星已经开始批量生产250GB SATA SSD,采用第六代(1xx层)256Gb TLC V-NAND。三星还计划在2019年下半年推出基于512Gb TLC V-NAND的SSD和eUFS,以满足全球移动和PC制造商的需求。

三星采用独特的“通道孔蚀刻”技术,新的V-NAND增加了前一个9x层堆叠的40%。这是通过创建一叠由136层组成的导电模具来实现的,然后从顶部到底部垂直穿透圆柱形孔以形成统一的三维电荷捕获闪光(CTF)单元。

随着每单元面积的芯片堆叠高度增加,NAND闪存芯片往往更容易出错和读取延迟。为了克服这些限制,三星采用了优化的电路设计,可实现最快的数据传输速度,写入操作低于450微秒(μs),读取速度低于45微秒。与上一代相比,这意味着性能提升超过10%,而功耗降低了15%以上。

三星256Gb NAND闪存所需的通道孔数量已从上一代的9.3亿个孔减少到6.7亿个孔,从而减小了芯片尺寸并减少了工艺步骤,从而将生产率提高了20%以上。

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今天,据国外媒体报道,存储巨头三星宣布推出首款100+层和单堆栈(Single-stack)设计的全新V-NAND,突破了目前3D NAND堆栈的局限,实现了卓越速度和能源效率。

根据数据显示,三星的第六代V-NAND是新一代V-NAND推出仅在其推出90层V-NAND 13个月后推出,而三星也将生产周期缩短了4个月,以确保其产业领先的性能,能效和生产力。

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据悉,三星已经开始批量生产250GB SATA SSD,采用第六代(1xx?悖?256Gb TLC V-NAND。三星还计划在2019年下半年推出基于512Gb TLC V-NAND的SSD和eUFS,以满足全球移动和PC制造商的需求。

三星采用独特的“通道孔蚀刻”技术,新的V-NAND增加了前一个9x层堆叠的40%。这是通过创建一叠由136层组成的导电模具来实现的,然后从顶部到底部垂直穿透圆柱形孔以形成统一的三维电荷捕获闪光(CTF)单元。

随着每单元面积的芯片堆叠高度增加,NAND闪存芯片往往更容易出错和读取延迟。为了克服这些限制,三星采用了优化的电路设计,可实现最快的数据传输速度,写入操作低于450微秒(μs),读取速度低于45微秒。与上一代相比,这意味着性能提升超过10%,而功耗降低了15%以上。

三星256Gb NAND闪存所需的通道孔数量已从上一代的9.3亿个孔减少到6.7亿个孔,从而减小了芯片尺寸并减少了工艺步骤,从而将生产率提高了20%以上。